|
電磁干擾(Electromagnetic Interference)，簡(jiǎn)稱(chēng)EMI，有傳導(dǎo)干擾和輻射干擾兩種。傳導(dǎo)干擾主要是電子設(shè)備產(chǎn)生的干擾信號(hào)通過(guò)導(dǎo)電介質(zhì)或公共電源線互相產(chǎn)生干擾；輻射干擾是指電子設(shè)備產(chǎn)生的干擾信號(hào)通過(guò)空間耦合把干擾信號(hào)傳給另一個(gè)電網(wǎng)絡(luò)或電子設(shè)備。
為了防止一些電子產(chǎn)品產(chǎn)生的電磁干擾影響或破壞其它電子設(shè)備的正常工作，各國(guó)政府或一些國(guó)際組織都相繼提出或制定了一些對(duì)電子產(chǎn)品產(chǎn)生電磁干擾有關(guān)規(guī)章或標(biāo)準(zhǔn)，符合這些規(guī)章或標(biāo)準(zhǔn)的產(chǎn)品就可稱(chēng)為具有電磁兼容性EMC(Electromagnetic Compatibility)。
電磁兼容性EMC 標(biāo)準(zhǔn)不是恒定不變的，而是天天都在改變，這也是各國(guó)政府或經(jīng)濟(jì)組織，保護(hù)自己利益經(jīng)常采取的手段。 
2、國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)華組織ISO 3、電氣電子工程師學(xué)會(huì)IEEE 4、歐盟電信標(biāo)準(zhǔn)委員會(huì)ETSI 5、國(guó)際無(wú)線電通信咨詢(xún)委員CCIR 6、國(guó)際電工委員會(huì)IEC有以下分會(huì)進(jìn)行EMC標(biāo)準(zhǔn)研究 -CISPR：國(guó)際無(wú)線電干擾特別委員會(huì) -TC77：電氣設(shè)備（包括電網(wǎng)）內(nèi)電磁兼容技術(shù)委員會(huì) -TC65：工業(yè)過(guò)程測(cè)量和控制 2、VDE德國(guó)電氣工程師協(xié)會(huì) 4、BS英國(guó)標(biāo)準(zhǔn) 5、ABSI美國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn) 6、GOSTR俄羅斯政府標(biāo)準(zhǔn) 7、GB、GB/T中國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn) 4、射頻場(chǎng)感應(yīng)的傳導(dǎo)騷擾抗擾度測(cè)試（CS） 5、電壓暫降，短時(shí)中斷和電壓變化抗擾度測(cè)試（DIP） 7、電快速瞬變脈沖群抗擾度測(cè)試（EFT/B） 8、電力線感應(yīng)/接觸（Power induction/contact） EMC測(cè)試結(jié)果的評(píng)價(jià)
A級(jí)：實(shí)驗(yàn)中技術(shù)性能指標(biāo)正常 B級(jí)：試驗(yàn)中性能暫時(shí)降低，功能不喪失，實(shí)驗(yàn)后能自行恢復(fù) C級(jí)：功能允許喪失，但能自恢復(fù)，或操作者干預(yù)后能恢復(fù) R級(jí)：除保護(hù)元件外，不允許出現(xiàn)因設(shè)備（元件）或軟件損壞數(shù)據(jù)丟失而造成不能恢復(fù)的功能喪失或性能降低。 5、電壓暫降，短時(shí)中斷和電壓變化抗擾度測(cè)試（DIP） 7、電快速瞬變脈沖群抗擾度測(cè)試（EFT/B） 8、電力線感應(yīng)/接觸（Power induction/contact） －電磁干擾的時(shí)域與頻域描述 :時(shí)域特性 
－電磁干擾的時(shí)域與頻域描述 :頻域特性 
－電磁干擾的時(shí)域與頻域描述 :周期梯形波的 
－電磁干擾的時(shí)域與頻域描述:寬帶噪聲 
－電磁干擾的時(shí)域與頻域描述:時(shí)鐘與數(shù)據(jù)噪聲 
－分貝（dB）的概念 分貝是電磁兼容中常用的基本單位。 定義為兩個(gè)功率的比： 
1、共阻抗耦合 -由兩個(gè)回路經(jīng)公共阻抗耦合而產(chǎn)生，干擾量是電流i，或變化的電流di/dt。 2、容性耦合 -在干擾源與干擾對(duì)稱(chēng)之間存在著耦合的分布電容而產(chǎn)生，干擾量是變化的電場(chǎng)，即變化的電壓du/dt。 3、感性耦合 -在干擾源與干擾對(duì)稱(chēng)之間存在著互感而產(chǎn)生，干擾量是變化的磁場(chǎng)，即變化的電流di/dt。
電場(chǎng)：導(dǎo)體之間的電壓產(chǎn)生電場(chǎng) -電場(chǎng)強(qiáng)度單位：V/m
磁場(chǎng)：導(dǎo)體上的電流產(chǎn)生磁場(chǎng) -磁場(chǎng)強(qiáng)度單位：A/m
1、差模輻射：電流在信號(hào)環(huán)路中流動(dòng)產(chǎn)生 
2、共模輻射：由于導(dǎo)體的電位高于參考電位產(chǎn)生
3、PCB主要產(chǎn)生差模輻射 
4、線纜主要產(chǎn)生共模輻射 
5、差模輻射電場(chǎng)的計(jì)算 
其中 ： E:電場(chǎng)強(qiáng)度(V/m) f :電流的頻率(MHz) A:電流的環(huán)路面積(cm2) I :電流的強(qiáng)度(mA) r :測(cè)試點(diǎn)到電流環(huán)路的距離(m) 
其中 ： E:電場(chǎng)強(qiáng)度(V/m) f :電流的頻率(MHz) L:電纜的長(zhǎng)度(m) I :電流的強(qiáng)度(mA) r :測(cè)試點(diǎn)到電流環(huán)路的距離(m) 7、屏蔽的基本理論和設(shè)計(jì)要點(diǎn) 
7.1屏蔽效能計(jì)算公式： SE(dB)= R(dB)+A(dB)+B(dB) R(dB)-reflection loss A(dB)-absorption B(dB)-re-reflection loss 7.2屏蔽設(shè)計(jì)的基本原則： a、屏蔽體結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)潔，盡可能減少不必要的孔洞，盡可能不要增加額外的縫隙； b、避免開(kāi)細(xì)長(zhǎng)孔，通風(fēng)孔盡量采用圓孔并陣列排放。屏蔽和散熱有矛盾時(shí)盡可能開(kāi)小孔，多開(kāi)孔，避免開(kāi)大孔； c、足夠重視電纜的處理措施，電纜的處理往往比屏蔽本身還重要； d、屏蔽體的電連續(xù)性是影響結(jié)構(gòu)件屏蔽效能最主要的因素，相對(duì)而言，一般材料本身屏蔽性能以及材料厚度的影響是微不足道的（低頻磁場(chǎng)例外）； e、注意控制成本； 1、通風(fēng)孔及開(kāi)口設(shè)計(jì) 
2、結(jié)構(gòu)搭接縫屏蔽設(shè)計(jì) 
如果導(dǎo)體從屏蔽體中穿出去，將對(duì)屏蔽體的屏蔽效能產(chǎn)生顯著的劣化作用。這種穿透比較典型的是電纜從屏蔽體中穿出。 
4、穿出屏蔽體電纜的設(shè)計(jì)原則： a、采用屏蔽電纜時(shí)，屏蔽電纜在出屏蔽體時(shí)，采用夾線結(jié)構(gòu)，保證電纜屏蔽層與屏蔽體之間可靠接地，提供足夠低的接觸阻抗。 b、采用屏蔽電纜時(shí)，用屏蔽連接器轉(zhuǎn)接將信號(hào)接出屏蔽體，通過(guò)連接器保證電纜屏蔽層的可靠接地。 c、采用非屏蔽電纜時(shí)，采用濾波連接器轉(zhuǎn)接，由于濾波器通高頻的特性，保證電纜與屏蔽體之間有足夠低的高頻阻抗。 d、采用非屏蔽電纜時(shí)，電纜在屏蔽體的內(nèi)側(cè)（或者外側(cè)）要足夠短，使干擾信號(hào)不能有效地耦合出去，從而減小了電纜穿透的影響。 e、電源線通過(guò)電源濾波器出屏蔽體，由于濾波器通高頻的特性，保證電源線與屏蔽體之間有足夠低的高頻阻抗。 f、采用光纖出線。由于光纖本身沒(méi)有金屬體，也就不存在電纜穿透的問(wèn)題。 5、不良接地 
6、屏蔽材料及應(yīng)用（導(dǎo)電布、簧片、導(dǎo)電橡膠） 
7、截止波導(dǎo)通風(fēng)板 
8、良好接地 
1、接地的概念及目的 a、一是為了安全，稱(chēng)為保護(hù)接地。電子設(shè)備的金屬外殼必須接大地，這樣可以避免因事故導(dǎo)致金屬外殼上出現(xiàn)過(guò)高對(duì)地電壓而危及操作人員和設(shè)備的安全。 b、二是為電流返回其源提供低阻抗通道，即工作接地。 c、防雷接地，為雷擊提供電流泄放。 2、接地提供信號(hào)回流
3、單點(diǎn)接地 適用于工作頻率1MHz以下系統(tǒng) 
4、多點(diǎn)接地及混合接地 
1、濾波 a、濾波電路是由電感、電容、電阻、鐵氧體磁珠和共模線圈構(gòu)成的頻率選擇性網(wǎng)絡(luò)，阻止某段頻率范圍內(nèi)的信號(hào)沿線傳遞。 b、 濾波電路種類(lèi)：反射、吸收。 2、濾波器件 a、電容（通用電容、三端電容） b、電感（通用電感、共模電感、磁珠） c、電阻 3、基本的濾波形式 
4、差模濾波與共模濾波設(shè)計(jì)： 
5、電容和三端電容特性 
6、共模扼流圈 
7、鐵氧體磁珠 
1、PCB設(shè)計(jì) a、布局：同類(lèi)電路布在一塊、控制最小路徑原則、高速電路間不要靠近小面板、電源模塊靠近進(jìn)單盤(pán)的位置 b、分層：高速布線層必須靠近一層地、電源與地相鄰、元件面下布一層地、近可能將兩個(gè)表層布地層、內(nèi)層比表層縮進(jìn)20H c、布線：3W原則、差分對(duì)線等長(zhǎng)，靠近走、高速或敏感線不能 跨分割區(qū) d、接地：同類(lèi)電路單獨(dú)分布地，在單板上單點(diǎn)相連 e、濾波：電源模塊、功能電路設(shè)計(jì)板級(jí)慮波電路 f、接口電路設(shè)計(jì)：接口電路設(shè)計(jì)濾波電路、實(shí)現(xiàn)內(nèi)外有效隔離
2、布局的基本原則： a、參照原理功能框圖，基于信號(hào)流向，按照功能模塊劃分 b、數(shù)字電路與模擬電路、高速電路與低速電路、干擾源與敏感電路分開(kāi)布局 c、單板焊接面避免放置敏感器件或強(qiáng)輻射器件 d、敏感信號(hào)、強(qiáng)輻射信號(hào)回路面積最小 e、晶體、晶振、繼電器、開(kāi)關(guān)電源等強(qiáng)輻射器件或敏感器件遠(yuǎn)離單板拉手條、對(duì)外接口連接器、敏感器件放置，推薦距離≥1000mil f、敏感器件：遠(yuǎn)離強(qiáng)輻射器件，推薦距離≥1000mil g、隔離器件、A/D器件：輸入、輸出互相分開(kāi)，無(wú)耦合通路（如相鄰的參考平面），最好跨接于對(duì)應(yīng)的分割區(qū) 3、特殊器件布局 a、電源部分（置于電源入口處） b、時(shí)鐘部分（遠(yuǎn)離開(kāi)口，靠近負(fù)載，布線內(nèi)層） c、電感線圈（遠(yuǎn)離EMI源） d、總線驅(qū)動(dòng)部分（布線內(nèi)層，遠(yuǎn)離開(kāi)口，靠近宿） e、濾波器件（輸入、輸出分開(kāi)，靠近源，引線短） 4、濾波電容的布局：BULK電容： a、所有分支電源接口電路 b、功耗大的元器件附近 c、存在較大電流變化的區(qū)域，如電源模塊的輸入和輸出端、風(fēng) 扇、繼電器等 d、PCB電源接口電路 5、、去藕電容的布局： a、靠近電源管腳 b、位置、數(shù)量適當(dāng)
6、接口電路的布局的基本原則： 接口信號(hào)的濾波、防護(hù)和隔離等器件靠近接口連接器放置，先防護(hù)，后濾波 接口變壓器、光耦等隔離器件做到初次級(jí)完全隔離 變壓器與連接器之間的信號(hào)網(wǎng)絡(luò)無(wú)交叉 變壓器對(duì)應(yīng)的BOTTOM層區(qū)域盡可能沒(méi)有其它器件放置 接口芯片（網(wǎng)口、E1/T1口、串口等）盡量靠近變壓器或連接器放置
7、布線 走線短，不同類(lèi)走線間距寬（信號(hào)及其回流線、差分線、屏蔽地線除外），過(guò)孔少，無(wú)環(huán)路，回路面積小，無(wú)線頭 有延時(shí)要求的走線，其長(zhǎng)度符合要求 無(wú)直角，對(duì)關(guān)鍵信號(hào)線優(yōu)先采用圓弧倒角 相鄰層信號(hào)走線互相垂直或相鄰層的關(guān)鍵信號(hào)平行布線≤1000MIL 走線線寬無(wú)跳變或滿足阻抗一致
各國(guó)產(chǎn)品安全和EMC認(rèn)證組織 -歐美：CE -美國(guó)：FCC&UL，NEBS -日本：VCCI -澳大利亞：CE -中國(guó)：CCC -臺(tái)灣：CE -認(rèn)證申請(qǐng) -提交認(rèn)證材料（認(rèn)證標(biāo)準(zhǔn)、產(chǎn)品使用手冊(cè)等） -產(chǎn)品測(cè)試 -完成測(cè)試報(bào)告 -頒發(fā)認(rèn)證證書(shū) -產(chǎn)品發(fā)布 引用自:ittbank *免責(zé)聲明：本文引用自ittbank。文章內(nèi)容系作者個(gè)人觀點(diǎn)，轉(zhuǎn)載僅為了傳達(dá)不同觀點(diǎn)交流與提升半導(dǎo)體行業(yè)認(rèn)知，不代表對(duì)該觀點(diǎn)贊同或支持，如果有任何異議，歡迎聯(lián)系。
|
