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北京大學《Nature》:有望大幅推動光子芯片技術發(fā)展
2020-04-25 10:32:43
詳細內(nèi)容

廣泛應用于高性能光柵耦合器、高能效激光器及激光雷達光學天線等的單向輻射(unidirectional emission)技術,是實現(xiàn)大規(guī)模光子集成和光子芯片的關鍵技術之一。


目前,此技術大多通過分布式布拉格光柵反射鏡、金屬反射鏡等鏡面反射實現(xiàn)。然而,片上集成時,反射鏡不僅體積大、結(jié)構(gòu)復雜、加工難度高,還會引入額外的損耗和色散。


針對這一集成光子器件研究中亟待解決的關鍵問題,北京大學信息科學技術學院電子學系、區(qū)域光纖通信網(wǎng)與新型光通信系統(tǒng)國家重點實驗室彭超副教授課題組與麻省理工學院物理學系MarinSolja?i?教授、賓夕法尼亞大學物理與天文學系甄博助理教授合作,從拓撲光子學視角提出一種在單層硅基板上不依靠反射鏡而實現(xiàn)定向輻射的新方法。


相關研究成果以《拓撲保護的單向?qū)9舱駪B(tài)觀測》(Observation of topologically enabled unidirectional guided resonances)為題,2020年4月22日在線發(fā)表于《自然》(Nature,第580卷第467~471頁);電子學系2015級博士研究生尹雪帆為第一作者,彭超為通訊作者。


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彭超等人從拓撲荷操控出發(fā),在光子晶體平板中實現(xiàn)了單向輻射的特殊諧振態(tài),即單側(cè)輻射導模共振(unidirectional guided-resonance,UGR)態(tài),在一維光子晶體中通過傾斜側(cè)壁同時破缺結(jié)構(gòu)垂直對稱性和面內(nèi)對稱性,使體系中連續(xù)區(qū)束縛態(tài)所攜帶的整數(shù)拓撲荷分裂為一對半整數(shù)拓撲荷,并在平板上、下兩側(cè)表面產(chǎn)生大小不等的輻射。


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此時,維持對稱性破缺,通過調(diào)控參數(shù)將一側(cè)表面的成對半整數(shù)拓撲荷重新合并成整數(shù)拓撲荷,形成不依賴鏡面僅朝一個表面輻射能量的UGR態(tài)。


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通過操控拓撲荷演化,實現(xiàn)單向?qū)9舱駪B(tài)


聯(lián)合課題組利用自主發(fā)展的傾斜刻蝕工藝制備樣品,實驗上觀測到非對稱輻射比高達27.7dB;這就意味著超過99.8%的光子能量朝一側(cè)定向輻射,較傳統(tǒng)設計提高了1~2個數(shù)量級,從而有力證明了單向輻射導模共振態(tài)的有效性和優(yōu)越性。


人物介紹

彭超,北京大學信息科學技術學院電子學系、區(qū)域光纖通信網(wǎng)與新型光通信系統(tǒng)國家重點實驗室副教授。2004和2009年先后在北京大學取得物理學學士學位和通信與信息系統(tǒng)專業(yè)博士學位。2009至2011年在京都大學任日本學術振興會海外特別研究員(JSPS postdoctoral fellow)。專注于光纖傳感器件和系統(tǒng)、納米光電子學器件及應用的研究。2019年獲國家自然科學基金優(yōu)秀青年科學基金項目資助。

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引用自:北京大學

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