晶圓代工廠近來積極布局第三代半導(dǎo)體材料氮化鎵(GaN)，除龍頭廠臺積電已提供6英寸GaN-on-Si(硅基氮化鎵)晶圓代工服務(wù)外，世界先進GaN制程也預(yù)計年底送樣，聯(lián)電同樣積極投入GaN制程開發(fā)，攜手子公司聯(lián)穎布局高效能電源功率元件市場。

聯(lián)電表示，GaN制程開發(fā)是現(xiàn)有研發(fā)計劃中的重點項目之一，目前與轉(zhuǎn)投資公司砷化鎵(GaAs)晶圓代工廠聯(lián)穎合作，仍處于研發(fā)階段，初期將以6英寸晶圓代工服務(wù)為目標，未來也會考慮邁向8英寸代工。

聯(lián)穎是聯(lián)電持股81.58%子公司，為其新投資事業(yè)群的一員，提供6英寸砷化鎵晶圓代工服務(wù)，終端產(chǎn)品應(yīng)用領(lǐng)域包括手機無線通訊、微波無線大型基地站、無線微型基地臺、物聯(lián)網(wǎng)、國防航太、光纖通信、光學(xué)雷達，及3D感測元件等。

目前營運持續(xù)虧損，去年虧損新臺幣2.79億元，今年首季則虧損新臺幣861萬元。

目前包括臺積電、漢磊投控集團的晶圓代工廠漢磊科，6英寸GaN-on-Si晶圓代工制程均已量產(chǎn)；臺積電今年2月也宣布結(jié)盟意法半導(dǎo)體，意法將采用臺積電的GaN制程技術(shù)，生產(chǎn)氮化鎵產(chǎn)品，加速先進功率氮化鎵解決方案開發(fā)與上市，攜手搶攻電動車市場商機。

世界先進在GaN材料上已投資研發(fā)4年多，與設(shè)備材料廠Kyma、及轉(zhuǎn)投資GaN矽基板廠Qromis攜手合作，著眼開發(fā)可做到8英寸的新基底高功率氮化鎵技術(shù)GaN-on-QST，今年底前將送樣客戶做產(chǎn)品驗證，初期主要瞄準電源相關(guān)應(yīng)用。 

———— / END / ————

引用自: 電子信息產(chǎn)業(yè)網(wǎng)

責(zé)聲明:源自電子信息產(chǎn)業(yè)網(wǎng)。文章內(nèi)容系作者個人觀點，轉(zhuǎn)載僅為了傳達不同觀點交流與提升半導(dǎo)體行業(yè)認知，不代表對該觀點贊同或支持，如轉(zhuǎn)載涉及版權(quán)等問題，請發(fā)送消息至公號后臺與我們聯(lián)系，我們將在第一時間處理，非常感謝。