根據(jù)當(dāng)時杭州發(fā)布的杭州市集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展規(guī)劃通知顯示，在2017年之前，杭州在芯片特色工藝制造和特殊工藝集成電路設(shè)計制造一體化等方面就已經(jīng)形成了一定的競爭優(yōu)勢，當(dāng)時杭州擁有5條芯片制造生產(chǎn)線，分布在士蘭集成、士蘭集昕、立昂微、立昂東芯、海康微影等企業(yè)。

以IDM模式運營的士蘭微在晶圓制造方面具有優(yōu)勢。資料顯示，從生產(chǎn)線的角度來看，2000年底，士蘭微開始籌建芯片生產(chǎn)線，并于2001年在杭州建設(shè)了第一條5寸芯片生產(chǎn)線。

2003年上市之后，士蘭微再建6寸芯片生產(chǎn)線，用于0.8～2.0微米的集成電路芯片生產(chǎn)，使得士蘭微擁有了設(shè)計和制造的雙重優(yōu)勢。2015年，新增一條8寸芯片生產(chǎn)線，2016年增資6億元助力8寸線建設(shè)。

杭州士蘭集昕微電子有限公司成立于2015年，為士蘭微電子8英寸集成電路芯片生產(chǎn)線的實施主體。公司于2017年正式投產(chǎn)，設(shè)計月產(chǎn)能10萬片，現(xiàn)已具備月產(chǎn)4萬片生產(chǎn)能力。

立昂創(chuàng)辦之初即引進(jìn)美國安森美公司具有國際先進(jìn)水平的全套肖特基芯片工藝技術(shù)、生產(chǎn)設(shè)備及質(zhì)量管理體系，建立了6英寸半導(dǎo)體生產(chǎn)線，成為國內(nèi)先進(jìn)水平的功率器件生產(chǎn)線。

立昂東芯擁有6寸砷化鎵(GaAs)晶圓代工線1條，且能夠提供6英寸砷化鎵半導(dǎo)體器件生產(chǎn)對外加工服務(wù)，開發(fā)具有世界領(lǐng)先水平的銦鎵磷異質(zhì)結(jié)雙極型晶體管（InGaP HBT）和砷化鎵高電子遷移率晶體管（GaAs pHEMT）等射頻集成電路（RFIC）生產(chǎn)工藝技術(shù)。第一期規(guī)劃年產(chǎn)6英寸砷化鎵芯片5萬片。

?？滴⒂皠t是由?？低曉O(shè)立的專業(yè)從事 MEMS 傳感器研發(fā)和生產(chǎn)的高科技企業(yè)，公司計劃建設(shè)一條 MEMS 晶圓生產(chǎn)線。

在2017年之后，杭州這些廠商在芯片制造上的投入也有所增加。根據(jù)公開消息顯示：根據(jù)士蘭微2019年上半年的財報顯示，士蘭微電子在自有的 8 英寸芯片生產(chǎn)線上已經(jīng)全部實現(xiàn)了幾類關(guān)鍵工藝的研發(fā)與批量生產(chǎn)。

同時，財報中還有顯示，隨著 8 吋芯片生產(chǎn)線項目投產(chǎn)，以及化合物半導(dǎo)體器件生產(chǎn)線項目和 12 吋芯片特色工藝芯片生產(chǎn)線項目建設(shè)加快推進(jìn)，將持續(xù)推動士蘭微電子整體營收的較快成長。

此外，2019年7月，士蘭微董事會還審議通過了《關(guān)于投資建設(shè)士蘭集昕二期項目的議案》，同意公司控股子公司杭州士蘭集昕對8吋芯片生產(chǎn)線進(jìn)行技術(shù)改造，形成新增年產(chǎn)43.2萬片8英寸芯片制造能力。

根據(jù)公告，士蘭集昕二期項目總投資15億元，建設(shè)周期約為五年，分兩期進(jìn)行。其中，一期計劃投資6億元，形成年產(chǎn)18萬片8英寸芯片的產(chǎn)能。二期計劃投資9億元，形成年產(chǎn)25.2萬片8英寸芯片的產(chǎn)能。

而從市場中看，目前晶圓制造在向12英寸晶圓發(fā)展，就此趨勢，坐落于杭州的晶圓廠也開始在12英寸晶圓制造上展開了布局。（士蘭微12英寸特色工藝芯片項目落戶于廈門，因此，在此不多描述。）

2019年9月，杭州中欣晶圓半導(dǎo)體股份有限公司大硅片項目建設(shè)工程竣工。此舉標(biāo)志著杭州中欣晶圓半導(dǎo)體股份有限公司歷時1年8個月的建設(shè)，完成了8英寸大硅片的正式量產(chǎn)，12英寸大硅片生產(chǎn)線進(jìn)入調(diào)試、試生產(chǎn)階段。

據(jù)悉，后續(xù)杭州中欣將完成12英寸生產(chǎn)線的設(shè)備安裝調(diào)試、工藝調(diào)試、品質(zhì)認(rèn)定等流程，在2019年年底生產(chǎn)出高品質(zhì)的12英寸半導(dǎo)體大硅片。

在2020年杭州集成電路新的工作計劃中，中欣的12英寸大硅片項目也位列其中。根據(jù)公開資料顯示，在2018年到2021年間，中欣計劃建設(shè)3條8英寸產(chǎn)線以及2條12英寸半導(dǎo)體硅片產(chǎn)線，預(yù)計全部達(dá)產(chǎn)后，8英寸將達(dá)到年產(chǎn)540萬片，12英寸年產(chǎn)288萬片半導(dǎo)體硅片的生產(chǎn)能力。

與此同時，今年在杭州新發(fā)布的關(guān)于集成電路的工作計劃當(dāng)中也包含了三個12英寸集成電路制造項目。具體來看，這三個項目分別是杭州積海半導(dǎo)體有限公司的12英寸集成電路制造項目、青山湖科技城高端儲存芯片產(chǎn)業(yè)化項目以及芯邁IDM項目。

根據(jù)公開消息顯示，杭州積海半導(dǎo)體有限公司計劃啟動月產(chǎn)2萬片12英寸集成電路制造項目計劃分兩期建設(shè)，項目一期規(guī)劃產(chǎn)能為2萬片/月（12英寸晶圓)。

公司計劃一期一階段規(guī)劃產(chǎn)能為0.4萬片/月；在一期一階段成功實施后，再啟動第二階段，實現(xiàn)一期2萬片/月產(chǎn)業(yè)化能力。在一期成功實施后，項目擇機(jī)啟動二期建設(shè)，新增產(chǎn)能4萬片/月（12英寸晶圓)。

青山湖科技城高端儲存芯片產(chǎn)業(yè)化項目計劃總投資180億元，該項目規(guī)劃用地180畝，總建筑面積10萬平方米。計劃建成月產(chǎn)20000片12英寸28納米新型高端集成電路生產(chǎn)線。該項目預(yù)計一季度簽訂量產(chǎn)協(xié)議，二季度深化量產(chǎn)可研方案，三季度開展施工圖設(shè)計，爭取今年第四季度開工建設(shè)。

芯邁IDM項目則擬建設(shè)模擬集成電路芯片生產(chǎn)基地，計劃總投資180億元，總用地面積約700畝，總體規(guī)劃，分兩期實施，力爭2020年開工。據(jù)芯思想研究院的文章顯示，芯邁半導(dǎo)體與矽力杰（Silergy）有著緊密的關(guān)系。矽力杰是國內(nèi)知名的模擬電路設(shè)計公司，于2008年成立于杭州。

從6英寸到8英寸再到12英寸，杭州在晶圓制造上的發(fā)展是循序漸進(jìn)的，扎實的基礎(chǔ)以及跟隨市場革新相關(guān)技術(shù)，會成為推動杭州集成電路產(chǎn)業(yè)的力量之一。

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引用自: 原創(chuàng) 蔣思瑩

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