如今5nm才剛剛起步，臺積電的技術(shù)儲備就已經(jīng)緊張到了2nm，并朝著1nm邁進。根據(jù)最新報道，臺積電已經(jīng)在2nm工藝上取得一項重大的內(nèi)部突破，雖未披露細(xì)節(jié)，但是據(jù)此樂觀預(yù)計，2nm工藝有望在2023年下半年進行風(fēng)險性試產(chǎn)，2024年就能步入量產(chǎn)階段。

臺積電2nm工藝重大突破

臺積電還表示，2nm的突破將再次拉大與競爭對手的差距，同時延續(xù)摩爾定律，繼續(xù)挺進1nm工藝的研發(fā)。預(yù)計，蘋果、高通、NVIDIA、AMD等客戶都有望率先采納其2nm工藝，此前關(guān)于摩爾定律已經(jīng)失效的結(jié)論或許就要被臺積電再次打破了。

2nm工藝上，臺積電將放棄延續(xù)多年的FinFET(鰭式場效應(yīng)晶體管)，甚至不使用三星規(guī)劃在3nm工藝上使用的GAAFET(環(huán)繞柵極場效應(yīng)晶體管)，也就是納米線(nanowire)，而是將其拓展成為“MBCFET”(多橋通道場效應(yīng)晶體管)，也就是納米片(nanosheet)。

從GAAFET到MBCFET，從納米線到納米片，可以視為從二維到三維的躍進，能夠大大改進電路控制，降低漏電率。新工藝的成本越發(fā)會成為天文數(shù)字，三星已經(jīng)在5nm工藝研發(fā)上已經(jīng)投入了大約4.8億美元，3nm GAAFET上會大大超過5億美元。

———— / END / ————

引用自:芯榜

免責(zé)聲明:源自:芯榜。文章內(nèi)容系作者個人觀點，轉(zhuǎn)載僅為了傳達(dá)不同觀點交流與提升半導(dǎo)體行業(yè)認(rèn)知，不代表對該觀點贊同或支持，如轉(zhuǎn)載涉及版權(quán)等問題，請發(fā)送消息至公號后臺與我們聯(lián)系，我們將在第一時間處理，非常感謝。