據(jù)新華社報(bào)道，目前，北緯三十八度集成電路制造有限公司（以下簡稱“BWIC”）廠房基礎(chǔ)建設(shè)已經(jīng)完成，正在驗(yàn)收階段，預(yù)計(jì)明年年中可投產(chǎn)，年底可實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。

圖片來源：新華社

此外，BWIC總經(jīng)理蔣建對此表示，達(dá)產(chǎn)以后，如果芯片全部用于制造手機(jī)的話，每年可以制造3億多部手機(jī)的射頻模組芯片。

據(jù)了解，BWIC的“微波功率放大器芯片制造加工項(xiàng)目”和“射頻聲表面波濾波器芯片制造加工項(xiàng)目”入選2020年山西省級重點(diǎn)工程項(xiàng)目名單。

北緯三十八度集成電路制造有限公司(以下簡稱”BWIC”或公司)創(chuàng)立于2018年，位于山西省北緯三十八度的忻州市，是6英寸GaAs化合物半導(dǎo)體IC芯片的專業(yè)晶圓代工服務(wù)公司。

BWIC新建一條6英寸砷化鎵集成電路生產(chǎn)線，由具有化合物半導(dǎo)體生產(chǎn)研發(fā)豐富經(jīng)驗(yàn)的中日團(tuán)隊(duì)管理及運(yùn)營，能提供優(yōu)質(zhì)的、高效能水平的贗配高電子遷移率晶體管(pHEMT)工藝技術(shù)。

該pHEMT工藝能應(yīng)用射頻、微波和毫米波集成電路，主要包括智能手機(jī)、平板電腦、筆記本電腦等中的搭載的射頻功率放大器模塊、GPS低噪聲放大器和射頻開關(guān)等等。

BWIC 將吸收和引進(jìn)先進(jìn)水平的6英寸砷化鎵集成電路(GaAs IC)制備技術(shù)，采用目前掌握的行業(yè)領(lǐng)先工藝技術(shù)批量生產(chǎn)性能優(yōu)異的6英寸砷化鎵集成電路產(chǎn)品，用于射頻、微波和毫米波集成電路。

主要包括功率放大器、低噪聲放大器、RF開關(guān)等產(chǎn)品，為實(shí)現(xiàn)4G移動(dòng)通信系統(tǒng)、無線WiFi系統(tǒng)、高速衛(wèi)星通信系統(tǒng)等必不可少的關(guān)鍵部件，并且在將來的5G移動(dòng)通信系統(tǒng)、新興的汽車防撞系統(tǒng)、衛(wèi)星定位系統(tǒng)等領(lǐng)域具有廣闊的應(yīng)用前景。

核心技術(shù)是0.25微米增強(qiáng)型AlGaAs/InGaAs pHEMT IC工藝，這工藝也包括金屬電阻、外延層電阻、MIM電容和背面通孔。為了滿足毫米波應(yīng)用的要求，將來開發(fā)0.15微米增強(qiáng)型pHEMT IC工藝。

———— / END / ————

引用自: 今日半導(dǎo)體

責(zé)聲明:源自 今日半導(dǎo)體。文章內(nèi)容系作者個(gè)人觀點(diǎn)，轉(zhuǎn)載僅為了傳達(dá)不同觀點(diǎn)交流與提升半導(dǎo)體行業(yè)認(rèn)知，不代表對該觀點(diǎn)贊同或支持，如轉(zhuǎn)載涉及版權(quán)等問題，請發(fā)送消息至公號后臺(tái)與我們聯(lián)系，我們將在第一時(shí)間處理，非常感謝。